HSDLVDS生产工艺,HSDLVDS,力可欣

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LVDS定义在2个国际标准中： IEEE P1596.3 （1996 年3 月通过） ， 主要面向SC I （ ScalableCoherent Interface） ，定义了LVDS的电特性，HSDLVDS作用，还定义了SC I协议中包交换时的编码； ANSI /EIA -644 （1995年11月通过） ，HSDLVDS信号传输，主要定义了LVDS的电特性，HSDLVDS，并建议了655 Mb / s的高速率和1. 823Gb / s的无失真媒质上的理论极限速率。在2个标准中都确定了与物理媒质无关的特性，这保证了LVDS能成为多用途的接口标准。

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LVDS是高速，低电压，HSDLVDS生产工艺，低功耗和低噪声的通用I / O接口标准。低电压摆幅和差分电流模式输出可以显著减少电磁干扰（EMI）。在设计一个LVDS板时需要考虑许多因素，例如差分路径，阻抗匹配，串扰和电磁干扰。

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电阻网络把LVDS直流输出电压从1. 2V变到LVPECL的输入（VCC - 1. 3 V） .这是因为LVDS的输出电压是参考地，而LVPECL 输入电压参考VCC ，这个网络可以使LVDS的输出不受电压变化的影响；另外考虑的就是功耗和速度的平衡。如果R1、R2、R3 选择低电阻，那么这个网络的时间常数和LVPECL的寄生参数都很小，能够满足高速的要求；当然由于电阻小了，就有更大的电流流过这些电阻，那么总功耗就大了。这种情况下LVDS的参数可能会受到电压变化的影响